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电子元器件详细资料 » IC[19146] » FDB86135
型号:FDB86135类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V D2PAK
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C75A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.5 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs116nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds7295pF @ 25V
功率_最大2.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市芯宇恒科技有限公司袁先生0755-85298085
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
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FDB86135相关型号

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